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devices Quiz

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Fappareils
    Choisissez la réponse la plus appropriée pour chaque question.
  • Question 1 :
  • Reduction in metal-oxide thin films has been suggested as the key mechanism responsible for forming conductive nanofilaments within solid-state memory devices, enabling their resistive switching capacity.
    1. devices
    2. device
  • Question 2 :
  • Avoid cycling the device unnecessarily.
    1. devices
    2. device
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Définition: Niveau 1
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